Общие характеристики Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: DIMM 240-контактный
Тактовая частота: 1333 МГц
Объем: 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Дополнительно Напряжение питания: 1.65 В
Тайминги CAS Latency (CL): 9
RAS to CAS Delay (tRCD): 9
Row Precharge Delay (tRP): 9
Activate to Precharge Delay (tRAS): 20
